| Параметры |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 10 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | - |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 3А, 4В |
| Мощность - Макс. | 80 Вт |
| Частота – переход | 3 МГц |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-218-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-218 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2368-ТИП33С |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 10 А 3 МГц 80 Вт сквозное отверстие ТО-218