| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 6 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 600 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 5 В при 1 А, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 8 @ 1А, 5В |
| Мощность - Макс. | 50 Вт |
| Частота – переход | 3 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-3П-3 Полный пакет |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-3П(Г)ИС |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ2678 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 600 В 6 А 3 МГц 50 Вт сквозное отверстие TO-3P(H)IS