| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 180 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 20 мА, 200 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 10 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 10 Вт |
| Частота – переход | 35 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | TO-202 Длинная вкладка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-202Н |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ190 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 180 В 1 А 35 МГц 10 Вт сквозное отверстие TO-202N