| Параметры |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 3-SIP |
| Поставщик пакета оборудования | 3-SIP |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ16006 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 700 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 20 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 1000 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1 Вт |
| Частота – переход | 55 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 20 В 700 мА 55 МГц 1 Вт сквозное отверстие 3-SIP