NTE Electronics, Inc NTE159M - NTE Electronics, Inc Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

НТЕ Электроникс, Инк NTE159M

НТЕ159М

  • Производитель: НТЭ Электроникс, Инк.
  • Номер производителя: НТЕ Электроникс, Инк NTE159M
  • Упаковка: Сумка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 466
  • Артикул: НТЕ159М
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.2000

Дополнительная цена:$1.2000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НТЭ Электроникс, Инк.
Ряд -
Упаковка Сумка
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,6 В при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 10 В
Мощность - Макс. 1,8 Вт
Частота – переход 200 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-18
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2368-НТЭ159М
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 600 мА 200 МГц 1,8 Вт Сквозное отверстие ТО-18