| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 50нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 10 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 625 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-92 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ159-10 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 800 мА 625 мВт сквозное отверстие ТО-92