NTE Electronics, Inc NTE123AP - NTE Electronics, Inc Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NTE Electronics, Inc NTE123AP

НТЕ123AP

  • Производитель: НТЭ Электроникс, Инк.
  • Номер производителя: NTE Electronics, Inc NTE123AP
  • Упаковка: Сумка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: НТЕ123AP
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3300

Дополнительная цена:$1,3300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НТЭ Электроникс, Инк.
Ряд -
Упаковка Сумка
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 750 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 1 В
Мощность - Макс. 625 мВт
Частота – переход 250 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)
Поставщик пакета оборудования ТО-92
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2368-НТЭ123АП
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 40 В 600 мА 250 МГц 625 мВт сквозное отверстие ТО-92