| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 170 мВ при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 25 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 69 @ 300 мА, 0 В |
| Мощность - Макс. | 650 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 90°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-1-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-1 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ103А |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 1 А, 650 мВт, сквозное отверстие ТО-1