| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN – Дарлингтон |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 20 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В при 10 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20000 при 10 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 625 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-92 (ТО-226) |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2368-МПСА12 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 20 В 625 мВт сквозное отверстие ТО-92 (ТО-226)