Микрочиповая технология JANTXV2N3636UB
JANTXV2N3636UB
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANTXV2N3636UB
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 9273
- Артикул: JANTXV2N3636UB
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 50 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1,5 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | 3-СМД |
| Базовый номер продукта | 2N3636 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/357 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 175 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 600 мВ при 5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 175 В 1 А 1,5 Вт для поверхностного монтажа 3-SMD