Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESQ - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESQ

NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100А,

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESQ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 36
  • Артикул: ПСМН8Р5-100ESQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5700

Дополнительная цена:$0,5700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (ТДж)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,5 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5512 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 263 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования И2ПАК
Пакет/ключи ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Другие имена 2156-PSMN8R5-100ESQ-1727
Стандартный пакет 1
N-канал 100 В 100 А (Tj) 263 Вт (Tc) Сквозное отверстие I2PAK