Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120PSQ - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120PSQ

NEXPERIA PSMN7R8-120PSQ - 70А, 1

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN7R8-120PSQ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: ПСМН7Р8-120ПСК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7000

Дополнительная цена:$1,7000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,9 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 167 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9473 пФ при 60 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 349 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования И2ПАК
Пакет/ключи ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-ПСМН7Р8-120ПСК-1727
Стандартный пакет 177
N-канал 120 В 70 А (Tc) 349 Вт (Tc) Сквозное отверстие I2PAK