Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-55YLHX - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN2R0-55YLHX

ПСМН2Р0-55ИЛХ/СОТ1023/4 ВЫВОДА

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN2R0-55YLHX
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 19
  • Артикул: ПСМН2Р0-55YLHX
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.0800

Дополнительная цена:$4.0800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,1 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 184 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11353 пФ при 27 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 333 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК56, Мощность-СО8
Пакет/ключи СОТ-1023, 4-ЛФПАК
Базовый номер продукта ПСМН2Р0
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
Н-канальный 55 В 200 А (Ta) 333 Вт (Ta) для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8