Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN1R9-80SSEJ - Nexperia USA Inc. Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN1R9-80SSEJ

ПРИМЕНЕНИЕ УДЕЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ MOSFE

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN1R9-80SSEJ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 589
  • Артикул: ПСМН1Р9-80ССЭЙ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.1300

Дополнительная цена:$7.1300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 286А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,9 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,6 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 232 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 17140 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 340 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК88 (SOT1235)
Пакет/ключи СОТ-1235
Базовый номер продукта ПСМН1Р9
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
Н-канальный, 80 В, 286 А (Ta) 340 Вт (Ta) для поверхностного монтажа LFPAK88 (SOT1235)