Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315-NEX - Nexperia USA Inc. Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315-NEX

ЭФФЕКТНЫЙ ТРАНЗИСТОР, 0,9AI(D), 30

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315-NEX
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5249
  • Артикул: ПМЗБ370ЮНЕ,315-НЕКС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 900 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 490 мОм при 500 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,05 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,16 НК при 15 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 78 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN1006B-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 10 000
N-канал 30 В 900 мА (Ta) 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN1006B-3