Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PMPB14R7EPX - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PMPB14R7EPX

МОП-транзистор П-СН 30В 8А DFN2020M-6

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PMPB14R7EPX
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6757
  • Артикул: PMPB14R7EPX
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1520

Дополнительная цена:$0,1520

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 44 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1418 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,9 Вт (Та), 12,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN2020MD-6
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта ПМПБ14
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
P-канал 30 В 8А (Ta) 1,9 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN2020MD-6