Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PMH850UPEH - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PMH850UPEH

МОП-транзистор P-CH 30 В 600 мА DFN0606-3

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PMH850UPEH
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: PMH850UPEH
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3900

Дополнительная цена:$0,3900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1 Ом при 500 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 950 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,9 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 62,2 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 660 мВт (Ta), 2,23 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN0606-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ПМХ850
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 10 000
P-канал 30 В, 600 мА (Ta) 660 мВт (Ta), 2,23 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN0606-3