Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE,147 - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE,147

NEXPERIA PMDXB550UNE - МАЛЕНЬКАЯ ЗНАК

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE,147
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1452
  • Артикул: PMDXB550UNE,147
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования DFN1010B-6
Базовый номер продукта PMDXB550
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2156-PMDXB550UNE, 147
Стандартный пакет 1
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 590 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 670 мОм при 590 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 950 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,05 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 30,3 пФ при 15 В
Мощность - Макс. 285 мВт (Ta), 4,03 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-XFDFN Открытая площадка
Массив МОП-транзисторов 30 В, 590 мА (Ta), 285 мВт (Ta), 4,03 Вт (Tc), для внешнего монтажа DFN1010B-6