Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PDTD123YT/APGVL - Nexperia USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PDTD123YT/APGVL

ПДТД123ЮТ/АПГВЛ

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PDTD123YT/APGVL
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5493
  • Артикул: ПДТД123ЮТ/АПГВЛ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд ПДТД123Y
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования ТО-236АБ
Базовый номер продукта ПДТД123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN УСТАРЕВШИЙ
Другие имена 1727-PDTD123YT/APGVL
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 500 мА, 250 мВт, для поверхностного монтажа TO-236AB