Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PDTD123YT-QR — Nexperia USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PDTD123YT-QR

ТРАНС ПРЕБИАС НПН 250МВт ТО236АБ

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PDTD123YT-QR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6773
  • Артикул: PDTD123YT-QR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0631

Дополнительная цена:$0,0631

Подробности

Теги

Параметры
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования ТО-236АБ
Базовый номер продукта ПДТД123
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 при 50 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 250 мВт
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 500 мА, 250 мВт, для поверхностного монтажа TO-236AB