Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PBSS5330PA,135 - Nexperia USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PBSS5330PA,135

PBSS5330PA — 30 В, 3 А PNP LOW V

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PBSS5330PA,135
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ПБСС5330ПА,135
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1100

Дополнительная цена:$0,1100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 320 мВ при 300 мА, 3 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 3А, 2В
Мощность - Макс. 500 мВт
Частота – переход 165 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-PowerUDFN
Поставщик пакета оборудования 3-ХУСОН (2х2)
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПБСС5330ПА,135-1727
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 3 А 165 МГц 500 мВт для поверхностного монтажа 3-HUSON (2x2)