Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. NXV55UNR - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. NXV55UNR

NXV55UN/SOT23/TO-236AB

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. NXV55UNR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 44
  • Артикул: NXV55UNR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,9 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 66 мОм при 1,9 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,7 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 352 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 340 мВт (Ta), 2,1 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-236АБ
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 1,9 А (Ta) 340 мВт (Ta), 2,1 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа ТО-236АБ