Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. GAN041-650WSBQ - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. GAN041-650WSBQ

ГАН041-650ВСБ/СОТ429/ТО-247

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN041-650WSBQ
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 94
  • Артикул: ГАН041-650ВСБК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $19.0700

Дополнительная цена:$19.0700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47,2А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 41 мОм при 32 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 187 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-3
Пакет/ключи ТО-247-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
N-канал 650 В 47,2 А 187 Вт сквозное отверстие ТО-247-3