Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. BSS84AKQBZ - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. BSS84AKQBZ

BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. BSS84AKQBZ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: BSS84AKQBZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) +12 В, -20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23,2 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 420 мВт (Та), 4,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования DFN1110D-3
Пакет/ключи 3-XDFN Открытая площадка
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q100
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 50 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 270 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,5 Ом при 100 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,6 нк при 10 В
P-канал 50 В 270 мА (Ta) 420 мВт (Ta), 4,2 Вт (Tc) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность DFN1110D-3