Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. BSH205G2AR - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. BSH205G2AR

МОП-транзистор П-СН 20 В 2,6 А ТО236АБ

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. BSH205G2AR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: БШ205Г2АР
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5000

Дополнительная цена:$0,5000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,6 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 118 мОм при 2,6 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 421 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 610 мВт (Та), 10 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-236АБ
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Базовый номер продукта БШ205
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
П-канал 20 В 2,6 А (Ta) 610 мВт (Ta), 10 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа ТО-236АБ