Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXTX6N200P3HV - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTX6N200P3HV
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1637 г.
  • Артикул: IXTX6N200P3HV
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $69,9500

Дополнительная цена:$69,9500

Подробности

Теги

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 143 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3700 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247ПЛЮС-ВВ
Пакет/ключи ТО-247-3 Вариант
Базовый номер продукта IXTX6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -IXTX6N200P3HV
Стандартный пакет 30
Производитель ИКСИС
Ряд Полярный P3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 Ом при 3 А, 10 В
Н-канальный, 2000 В, 6 А (Tc) 960 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-247PLUS-HV