Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q) — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q)

ТК40П03М1(Т6РДС-Q)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8346
  • Артикул: ТК40П03М1(Т6РДС-Q)
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВИ-Х
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1150 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ТК40П03
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена ТК40П03М1Т6РДСК
Стандартный пакет 2000 г.
Н-канальный 30 В 40 А (Ta) для наружного монтажа ДПАК