Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(STA4,Q,M) — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(STA4,Q,M)

ТК2А65Д(СТА4,К,М)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(STA4,Q,M)
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3564
  • Артикул: ТК2А65Д(СТА4,К,М)
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4400

Дополнительная цена:$1,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд π-МОСVII
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,26 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 380 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 30 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220СИС
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта ТК2А65
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
N-канал 650 В 2А (Та) 30 Вт (Тс) сквозное отверстие TO-220SIS