Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L(T6L1,NQ — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L(T6L1,NQ)

ТДЖ15С06М3Л(Т6Л1,НК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L(T6L1,NQ)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9091
  • Артикул: ТДЖ15С06М3Л(Т6Л1,НК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3300

Дополнительная цена:$1,3300

Подробности

Теги

Параметры
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 50 мОм при 7,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 НК при 10 В
ВГС (Макс) +10 В, -20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1770 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 41 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК+
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта TJ15S06
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
P-канал 60 В 15 А (Ta) 41 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK+