Технология микрочипа APT45GP120B2DQ2G

АПТ45GP120B2DQ2G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT45GP120B2DQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1171
Артикул: АПТ45GP120B2DQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $20.5700

Дополнительная цена:$20.5700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	113 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	170 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В при 15 В, 45 А
Мощность - Макс.	625 Вт
Переключение энергии	900 мкДж (вкл.), 905 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	185 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	18 нс/100 нс
Условия испытаний	600В, 45А, 5Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3 Вариант
Базовый номер продукта	АПТ45ГП120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT PT 1200 В 113 А 625 Вт сквозное отверстие