Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115 - Nexperia USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115

ПБСС4350СПН,115

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2754
  • Артикул: ПБСС4350СПН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2,7А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 340 мВ при 270 мА, 2,7 А / 370 мВ при 270 мА, 2,7 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 300 @ 1А, 2В / 180 @ 1А, 2В
Мощность - Макс. 750 мВт
Частота – переход -
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Базовый номер продукта ПБСС4350
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 1000
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 50 В, 2,7 А, 750 мВт, для поверхностного монтажа 8-SO