Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $4.4659

Эkst цena:$4.4659

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	32.4a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	105mohm @ 16.5a, 10
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	173 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	4040 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	313W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-247AC
PakeT / KORPUES	247-3
Baзowый nomer prodikta	SIHG33
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	500

N-kanal 650-32,4a (tc) 313w (tc).