Микрочиповая технология JANTXV2N3999
JANTXV2N3999
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANTXV2N3999
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 3714
- Артикул: JANTXV2N3999
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/374 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 10 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 2 В при 500 мА, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 1А, 2В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Шасси, Крепление на шпильке |
| Пакет/ключи | ТО-210АА, ТО-59-4, Шпилька |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-59 |
| Базовый номер продукта | 2N3999 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 10 А 2 Вт Шасси, шпилька ТО-59