Технология микрочипа JANTX2N6352
ЯНТХ2N6352
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Технология микрочипа JANTX2N6352
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8017
- Артикул: ЯНТХ2N6352
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/472 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN – Дарлингтон |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 5 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 1,5 В при 5 мА, 5 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | - |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 2000 @ 5А, 5В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-213АА, ТО-66-2 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-66 (ТО-213АА) |
| Базовый номер продукта | 2Н6352 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон 80 В 5 А 2 Вт сквозное отверстие ТО-66 (ТО-213АА)