| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | π-МОСVII |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 550 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3,5 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 2,45 Ом при 1,8 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,4 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9 нк @ 10 В |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 380 пФ при 25 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 80 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Д-Пак |
| Пакет/ключи | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
| Базовый номер продукта | ТК4П55 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | TK4P55DAT6RSSQ |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
N-канал 550 В 3,5 А (Ta) 80 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа