Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M) — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)

ТПК6012(ТЕ85Л,Ф,М)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1234
  • Артикул: ТПК6012(ТЕ85Л,Ф,М)
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСИВ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 200 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 нк @ 5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 630 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700 мВт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ВС-6 (2,9х2,8)
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Базовый номер продукта ТПК6012
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 20 В 6А (Та) 700 мВт (Та) для поверхностного монтажа ВС-6 (2,9х2,8)