Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PH1955L,115 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PH1955L,115

РН1955Л,115

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PH1955L,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5645
  • Артикул: РН1955Л,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 17,3 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 НК @ 5 В
ВГС (Макс) ±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1992 ПФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 75 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК56, Мощность-СО8
Пакет/ключи СК-100, СОТ-669
Базовый номер продукта PH19
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
Н-канальный 55 В 40 А (Tc) 75 Вт (Tc) для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8