Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. PHB38N02LT,118 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PHB38N02LT,118

PHB38N02LT,118

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PHB38N02LT,118
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6567
  • Артикул: PHB38N02LT,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта PHB38
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
Производитель NXP США Инк.
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 44,7А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 16 мОм при 25 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15,1 НК при 5 В
ВГС (Макс) 12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 800 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 57,6 Вт (Тс)
N-канальный 20 В 44,7 А (Tc) 57,6 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK