| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСИВ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24А (Та) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 7 МОм при 12 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3 В @ 200 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 26 НК при 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1270 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) |
| Пакет/ключи | 8-PowerVDFN |
| Базовый номер продукта | TPCC8009 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Н-канальный 30 В 24 А (Та) для внешнего монтажа 8-ТСОН Advance (3,1х3,1)