product_banner

Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR

Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AAT: E TR

IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

Проиджоделх: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AAT: E TR
Епаково: Lenta и коробка (TB)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5849
Sku: MT53E384M32D2FW-046 AAT: E TR
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю koankurentosposobnuюpolytikue.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	-
Упако	Lenta и коробка (TB)
Степень Продукта	Управо
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - Mobile LPDDR4X
Raзmerpmayti	12 gbiot
Органихая	384M x 32
ИНЕРФЕРСП	Парлель
ТАКТОВА	1 066 ГОГ
Верный	18ns
Вернее	3,5 млн
Napraheneee - posta	1,06 В ~ 1,17
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	200-TFBGA
ПАКЕТИВАЕТСЯ	200 TFBGA (10x14.5)
Baзowый nomer prodikta	MT53E384
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Управо
Дрогин ИНЕНА	557-MT53E384M32D2FW-046AAT: etrtb
Станодадж	1

SDRAM -Mobile LPDDR4X память IC 12 gbiot -Parallelh 1 066 ggц 3,5 млн.

Болх