Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR
IC DRAM 2GBIT PAR 200WFBGA
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 7033
- Sku: MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю koankurentosposobnuюpolytikue.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Raзmerpmayti | 2 Гит |
| Органихая | 128m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 1866 г |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 1,06 В ~ 1,17 |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 200-WFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 200-WFBGA (10x14,5) |
| Baзowый nomer prodikta | MT53E128 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Eccn | Управо |
| Дрогин ИНЕНА | 557-MT53E128M16D1DS-053IT: ATR |
| Станодар | 2000 |
SDRAM - MOBILNый LPDDR4 МЕМЕМА
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p