Микрочиповая технология MSCSM70VM10C4AG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SBD~-SP4

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70VM10C4AG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: MSCSM70VM10C4AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $311.4300

Дополнительная цена:$311.4300

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N канал (фазовая ветвь)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	238А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,5 мОм при 80 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В @ 8 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	430 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9000пФ при 700В
Мощность - Макс.	674 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	SP4
Базовый номер продукта	МСКСМ70
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM70VM10C4AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 700 В, 238 А (Tc) 674 Вт (Tc), крепление на багажнике SP4