Микрочиповая технология MSCSM70TLM10C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70TLM10C3AG
Упаковка: Коробка
Техническая спецификация:-
Запас: 14
Артикул: MSCSM70TLM10C3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $384.2800

Дополнительная цена:$384.2800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Коробка
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	241А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,5 мОм при 80 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В @ 8 мА (тип.)
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	430 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9000пФ при 700В
Мощность - Макс.	690 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Модуль
Базовый номер продукта	МСКСМ70
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль Mosfet Array 700 В 241 А (Tc) 690 Вт (Tc) со сквозным отверстием