Микрочиповая технология MSCSM170HRM233AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170HRM233AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 8859
Артикул: MSCSM170HRM233AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $257.3200

Дополнительная цена:$257.3200

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	Карбид кремния (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	124А (Тс), 89А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	22,5 мОм при 60 А, 20 В, 31 мОм при 40 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 5 мА, 2,8 В при 3 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	356 нк при 20 В, 232 нк при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6600пФ при 1000В, 3020пФ при 1000В
Мощность - Макс.	602 Вт (Тс), 395 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Другие имена	150-MSCSM170HRM233AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ), 124 А (Tc), 89 А (Tc), 602 Вт (Tc), 395 Вт (Tc) Крепление на раму