Микрочиповая технология MSCSM170HRM075NG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SP6C

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170HRM075NG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 9057
Артикул: MSCSM170HRM075NG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $901.7600

Дополнительная цена:$901.7600

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	Карбид кремния (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ), 1200В (1,2кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	337А (Тс), 317А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,5 мОм при 180 А, 20 В, 7,8 мОм при 160 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 15 мА, 2,8 В при 12 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1068 нк при 20 В, 928 нк при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	19800пФ при 1000В, 12100пФ при 1000В
Мощность - Макс.	1492 кВт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Другие имена	150-MSCSM170HRM075NG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 1200 В (1,2 кВ) 337 А (Tc), 317 А (Tc) 1,492 кВт (Tc) Крепление на шасси