Микрочиповая технология MSCSM170AM058CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170AM058CT6LIAG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 13
Артикул: MSCSM170AM058CT6LIAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Параметры
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N канал (фазовая ветвь)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	353А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,5 мОм при 180 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,3 В @ 15 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	1068 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	19800пФ при 1000В
Мощность - Макс.	1642 кВт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Базовый номер продукта	МСКСМ170
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM170AM058CT6LIAG
Стандартный пакет	1
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 353 А (Tc) 1,642 кВт (Tc) Крепление на шасси