Микрочиповая технология MSCSM120VR1M16CTPAG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SBD-SP6P

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM120VR1M16CTPAG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1407
Артикул: MSCSM120VR1M16CTPAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $884,6700

Дополнительная цена:$884,6700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	6 N-каналов (фазовая ветвь)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	171А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	16 мОм при 80 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,8 В @ 6 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	464 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6040пФ при 1000В
Мощность - Макс.	728 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Базовый номер продукта	МСКСМ120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM120VR1M16CTPAG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 171 А (Tc) 728 Вт (Tc) Крепление на шасси