Microchip Technology MSCSM120VR1M16CT3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Проиджоделх: ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
NoMerPOIзVODITELEL: Microchip Technology MSCSM120VR1M16CT3AG
Епаково: МАССА
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9796
Sku: MSCSM120VR1M16CT3AG
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $291.1100

Эkst цena:$291.1100

Подрэбной

Парметр
Млн	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
В припании	-
Упако	МАССА
Степень Продукта	Актифен
Тела	Карбид Кремния (sic)
Коунфигура	2 n kanal
FET FUONKSHINA	-
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	1200 В (1,2 К.)
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	173a (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	16mohm @ 80a, 20 В
Vgs (th) (max) @ id	2.8V @ 6MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	464NC @ 20V
Взёр.	6040pf @ 1000v
Синла - МАКС	745W (TC)
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	ШASCI
PakeT / KORPUES	Модул
ПАКЕТИВАЕТСЯ	-
Baзowый nomer prodikta	MSCSM120
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	150-MSCSM120VR1M16CT3AG
Станодар	1

MOSFET Array 1200V (1,2 кв) 173A (TC) 745W (TC) Mount