Микрочиповая технология MSCSM120TAM11CTPAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM120TAM11CTPAG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: MSCSM120TAM11CTPAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	6 Н-каналов (3-фазный мост)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	251А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	10,4 мОм при 120 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,8 В при 3 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	696 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9060пФ при 1000В
Мощность - Макс.	1042 кВт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП6-П
Базовый номер продукта	МСКСМ120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM120TAM11CTPAG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 251 А (Tc) 1,042 кВт (Tc), монтаж на корпусе СП6-П