Микрочиповая технология MSCSM120HRM08NG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SP6C

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM120HRM08NG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 9569
Артикул: MSCSM120HRM08NG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $682,5700

Дополнительная цена:$682,5700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	Карбид кремния (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200В (1,2кВ), 700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	317А (Тс), 227А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,8 мОм при 160 А, 20 В, 9,5 мОм при 80 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,8 В при 12 мА, 2,4 В при 8 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	928 НК при 20 В, 430 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	12100пФ при 1000В, 9000пФ при 700В
Мощность - Макс.	1,253 кВт (Тс), 613 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Другие имена	150-MSCSM120HRM08NG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 700 В, 317 А (Tc), 227 А (Tc), 1253 кВт (Tc), 613 Вт (Tc) Монтаж на шасси